报告时间：2021年12月18日，下午4：00-4：55
报告地点：大学城校区理学馆二楼阶梯报告厅（IC基地）
报告题目：闪存存储体系结构发展趋势与研究进展
报告人：吴非 研究员、博导（华中科技大学武汉光电国家研究中心）
主持人：韩国军教授
报告人简介：
吴非，博士，研究员，博导。武汉市晨光人才，“3551”人才。信息存储专委会常委、计算机体系结构专委会委员。担任武汉光电国家研究中心党委副书记、“华中科技大学-华为变革性存储技术“创新中心副主任、 “华中科技大学-上海威固技术有限公司智能存储技术“联合实验室主任。先后在美国卡耐基梅隆大学数据存储中心、美国中佛罗里达大学数据存储实验室、IBM公司存储事业部做访问学者。曾获湖北省技术发明二等奖、军队科学技术进步二等奖各1项。长期从事新型非易失存储体系结构、闪存存储、智能存储、存储评测技术等方面的研究。参与制定“固态盘性能测试”国家标准，主持国家自然科学基金2项、省省部级项目多项，与华为、阿里、IBM等公司有长期合作。在包括TC、ToS、TCAD、TECS、TDMR以及FAST、Eurosys、DAC、MSST、ESWEEK、DATE、ICCD等顶级期刊和会议上发表存储领域文章50余篇，申请发明专利30余项，软件著作权6项，是TC、ToS、TCAD、TODAES、TVLSI等国际期刊的特邀评审人，担任CODES-ISSS2021、NCIS2016-2018、NAS 2017-2019、HPBD&IS 2019-2020的程序委员会委员。
报告内容摘要：
大数据时代对数据存储的容量、性能和可靠性提出了更高的要求，闪存因具有大容量、高性能而成为主流存储介质。本报告将介绍闪存芯片发展趋势、设备接口变化和闪存存储设备体系结构的演变，并围绕如何构建高性能、高可靠的闪存存储系统，介绍基于软硬件协同优化改善闪存存储系统性能和存储服务质量的方法。
