报告题目：电动汽车功率半导体的封装技术和趋势
报告人：李孔竞 高级研发工程师（丹尼克斯半导体公司）
报告时间：2021年05月13日（星期四），下午15:30 - 17:00
报告地点：大学城校区工学一号馆201室
报告摘要
近年来，以IGBT为代表的功率半导体器件得到了广泛的应用。在轨道交通以及电动汽车等行业发展的带动下，中国功率半导体产业得到了蓬勃发展以及众多关键技术的突破。随着全球半导体芯片供求关系的不稳定性与不确定性日益上升，中国在多种芯片类型的自主研发上进行了全向发展，特别是在高电压大电流的功率半导体芯片方向取得了显著的成果。芯片半导体产业除了半导体原材料加工，芯片设计与制造这两项主要内容外，还有一项重要攻关对象是封装与测试。报告介绍了目前几种新颖的功率半导体封装技术，包括新型的内部互联技术与工艺，母排焊接，绝缘材料以及一体化基底/衬板技术。介绍如何基于封装失效分析，研究其失效机理与解决办法。
报告人介绍
李孔竞博士目前是英国丹尼克斯半导体公司（Dynex Semiconductor）研发中心高级工程师，他于2010年获得英国赫尔大学电子工程学士学位，于2011年获得英国诺丁汉大学可更新与可持续能源电气技术硕士学位，于2019年获得英国纽卡斯尔大学电力电子与无损检测博士学位，他的博士课题获得2019年“国家优秀自费留学生奖学金”，该奖全球获奖人数不超过500人。自2018年入职英国丹尼克斯半导体公司研发中心任职高级工程师，主要从事功率半导体器件与封装可靠性问题的研究，以及新型宽禁带功率半导体模块封装的研发工作。他的科研领域涉及功率半导体器件与封装的可靠性研究与失效分析，基于新型宽禁带半导体器件的低杂散参数与高可靠性的模块封装技术与工艺的研发，以及新型无损检测技术在功率半导体中的应用。已发表电力电子与无损检测方向的期刊及会议论文20余篇。近年来，他的论文每年被引用超过100次。
