报告题目：高密度3D NAND闪存协同设计优化策略研究
报告人：陈杰智 山东大学 教授
主持人：韩国军 教授
地点：理学馆213会议室
时间：2023年4月19日（星期三）下午15:00-16:30
报告摘要：
在大数据和云存储等应用需求急剧增长的后摩尔时代，NAND闪存芯片实现了从二维平面到三维垂直架构的跨越式转变，也成为了大容量非易失存储器市场的主流存储介质。相对于传统二维平面NAND闪存，三维NAND闪存介质的特殊器件工艺和阵列集成技术使其可靠性特性和优化策略变得更加复杂。为进一步提高大容量三维NAND闪存存储系统的可靠性，我们需要基于介质底层可靠性特性对系统层面进行针对性协同设计和优化。本报告将介绍三维NAND闪存介质最新进展，阐述基于介质底层特性的可靠性协同优化策略，以及未来三维闪存微缩化的关键技术。
报告人简介：
陈杰智，山东大学信息科学与工程学院副院长，教授/博士生导师，国家海外青年特聘专家。聚焦于高密度三维非易失存储芯片及纳米器件微缩化关键技术研究，近年来主持了国家自然科学基金委重点项目、重大研究计划项目、科技部重点研发项目课题等多项国家级研究项目，十八次在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上报告研究进展，授权美国/日本发明专利二十一项，授权中国发明专利九项。现为IEEE高级会员，担任IEDM等多个国际重要学术会议技术委员，国际可靠性物理会议IRPS存储器可靠性分会主席，以及电子器件技术与制造EDTM半导体器件分会主席。
